RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
45
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2600
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link