RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
4001
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link