RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
47
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3315
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link