RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3562
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link