RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
64
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
64
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2065
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link