RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
47
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3126
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link