RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3448
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Inmos + 256MB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link