RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3837
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link