RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3102
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link