RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2854
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link