RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
2330
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link