RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2825
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link