RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2505
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link