RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3392
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link