RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
51
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
51
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2945
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link