RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
45
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3192
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link