RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2675
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link