RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
66
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1820
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link