RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
85
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1772
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link