RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
64
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2103
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link