RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2712
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link