RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2479
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link