RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2821
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link