RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
48
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
21.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
4565
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link