RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3758
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link