RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
47
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2089
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link