RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3130
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link