RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
47
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3027
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link