RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
47
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3192
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link