RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
47
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3075
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8WMB 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link