RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
41
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
4230
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link