RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
40
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2858
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link