RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2871
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link