RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3166
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link