RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
40
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3507
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link