RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
23.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
4208
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link