RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
80
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
80
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1775
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link