RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3866
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link