RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
41
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
3512
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link