RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3327
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link