RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
3233
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link