RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
2726
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link