RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2989
2361
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link