RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2871
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link