RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2946
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link