RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3866
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link