RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2608
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link