RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
75
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
75
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1763
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link