RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
65
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2041
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link