RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2735
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link